于丽娟

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于丽娟,副研究员。1986年和1989年在吉林大学物理系获学士和硕士学位,2000年在西安交通大学电子工程系获博士学位。2000年至今在中科院半导体所从事半导体光电材料及相关器件的研究,曾参加高性能半导体光放大器规模化生产技术项目,研制出纤-纤增益大于15dB的半导体光放大器。在对半导体材料的直接键合的研究过程中,已获得了III-V半导体材料与硅键合的窗口温度,并利用键合的方法在硅基上实现了1.55μm InGaAsP/InP激光器的室温连续激射。2006年在英国帝国理工大学做访问学者,主要从事Ge/Si DBR材料特性及Ge/Si量子阱调制器的研究。目前,一直从事半导体光电器件的研究,已在国内外学术刊物及国际学术会议上发表30多篇学术论文和两个专利。
中文名
于丽娟
国    籍
中国
民    族
汉族
职    业
副研究员
性    别
政治面貌
群众
于丽娟[1]  ,副研究员。1986年和1989年在吉林大学物理系获学士和硕士学位,2000年在西安交通大学电子工程系获博士学位。2000年至今在中科院半导体所从事半导体光电材料及相关器件的研究,曾参加高性能半导体光放大器规模化生产技术项目,研制出纤-纤增益大于15dB的半导体光放大器。在对半导体材料的直接键合的研究过程中,已获得了III-V半导体材料与硅键合的窗口温度,并利用键合的方法在硅基上实现了1.55μm InGaAsP/InP激光器的室温连续激射。2006年在英国帝国理工大学做访问学者,主要从事Ge/Si DBR陈城欣材料特性及Ge/Si量子阱调制器的研究。目前,一直从事半导体光电器件的研究,已在国内外学术刊物及国际学术会议上发表30多篇学术论文和两个专利。
参考资料
  • 1.    于丽娟  .中国科学院半导体研究所[引用日期2012-010-11]
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